产品详情

供应 场效应管 BSC026N02KSG 026N02KS BSC026N02

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市金城微零件有限公司

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产品型号:BSC026N02KSG

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±12

雪崩能量EAS(mJ):550

最大漏极电流Id(A):100

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0026 @VGS = 4.5V

开启电压VGS(TH)(V):1.2

功率PD(W):78

极间电容Ciss(PF):5900 typ.

通道极性:N通道

低频跨导gFS(s)：190

温度(℃): -55 ~150

描述:20V,100A,OptiMOS Power-Transistor

 

型号/规格

BSC026N02KSG

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘