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产品属性
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产品型号:STP40NF10
特点:
优异的的dv / dt能力
低栅极电荷
100%的雪崩测试
应用
开关应用
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):50
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):150
输入电容Ciss(PF):2180 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):22
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):385
导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.
上升时间Tr(ns):46 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):54 typ.
下降时间Tf(ns):13 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:100V,50A N-沟道增强型场效应晶体管
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STP40NF10,TO-220,DIP/MOS,N场,100V,50A,0.028Ω
ST(意法半导体)
TO-220
无铅环保型
直插式
1000/盒
供应 场效应管 SSP7N60A,SSP7N60,SSP7N60B,7N60
供应 场效应管 BSZ123N08NS3G,123N08N,BSZ123N08
供应 场效应管 FDPF51N25YDTU FDPF51N25
供应 650V场效应管 FTA04N65 FTA02N65
供应场效应管 KIA18N50H,KIA18N50,18n50
供应 场效应管 BSC070N10NS3G,070N10NS,BSC070N10
供应 场效应管 CEU20N06
供应 场效应管 SSM3J120TU JJB
供应 场效应管 P75N02LDG
供应 场效应管 FQPF13N50CF,FQPF13N50,FQPF13N50C