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产品属性
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产品型号:CEU20N06
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):60
极间电容Ciss(PF):890
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):9
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:60,20A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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CEU20N06
CET/华瑞
SOT-252
无铅环保型
贴片式
2500/盘
小功率
供应 场效应管 2SK4212 2SK4212-ZK-E1 K4212
供应 场效应管 EMA06N03AN,EMA06N03,A06N03A
供应 场效应管 IRFS820,IRFS820A,IRFS820B
供应 场效应管4953 NCE4953 FDS4953
供应 场效应管 SI7636DP-T1-E3,SI7636DP
供应 场效应管 FQP8N60,FQP8N60C,FDP8N60,8N60
供应 场效应管 HFU2N60, P0460BI, AP03N70J
供应 场效应管 IRF730B,IRF730B,IRF730
供应 场效应管 TPC8035-H,TPC8028
供应场效应管 2SK3993-ZK-E1,2SK3993,K3993