场效应管 BSZ123N08NS3G,123N08N,BSZ123N08

BSZ123N08NS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,80V,40A,0.0123Ω

Parameter	Symbol	Conditions	Value	Unit
Drain-source breakdown voltage	V(BR)DSS	VGS=0V,ID=1mA	80	V
Continuous drain current	ID	VGS=10V,TC=25℃	40	A
Pulsed drain current	IDM	TC=25℃	160	A
Gate source voltage	VGS		±20	V
Avalanche energy, single pulse	EAS	ID=20A, RGS=25Ω	110	mJ
Power dissipation	Ptot	TC=25℃	66	W
Gate threshold voltage	VGS(th)	VDS=VGS,ID=33µA	3.5	V
Drain-source on-state resistance	RDS(on)	VGS=10V, ID=20A	12.3	mΩ
Transconductance	gfs	\|VDS\|>2\|ID\|RDS(on)max,ID=20A	34	S
Input capacitance	Ciss	VGS=0V,VDS=40V, f=1MHz	1700	PF

型号/规格

BSZ123N08NS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,80V,40A

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘

功率特征

供应 场效应管 BSZ123N08NS3G,123N08N,BSZ123N08