供应 场效应管 SSM3J135TU JJN SSM3J327R KFG

SSM3J135TU,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-3A,0.0103Ω，带二极(ESD)静电保护

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)

应用:

 * Power Management Switch Applications/电源管理开关应用

特点：
 * 1.5V驱动器
 * 低导通电阻：RDS(ON) = 260 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
             ：RDS(ON) = 180 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
             ：RDS(ON) = 132 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
             ：RDS(ON) = 103 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

产品型号:SSM3J135TU

封装:SOT-323

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±8

最大漏极电流Id(A):-3

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.103 @VGS = -4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.0

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):270 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：4.4

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):43 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J135TU,-20V,-3A,P-沟道增强型场效应晶体管

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