产品详情

供应 650V场效应管 FTA04N65 FTA02N65

地区：广东 深圳
认证： 无

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产品型号:FTA04N65

源漏极间雪崩电压VBR(V):650

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):2.2

最大漏极电流Id(on)(A):4

通道极性:N沟道


封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150


描述:650 V, 4A 功率MOSFET

产品型号:FTA02N65

源漏极间雪崩电压VBR(V):650

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):6.2

最大漏极电流Id(on)(A):1.8

通道极性:N沟道


封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150


描述:650 V, 1.8A 功率MOSFET

型号/规格

FTA04N65,TO-220F,MOS,650V,4A

品牌/商标

IPS

封装形式

TO-220F

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征