供应 场效应管 Si3433CDV-T1-GE3 Si3433CDV

产品型号:Si3433CDV
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

特点
 * 无卤素根据IEC 61249-2-21可用的
 * 的TrenchFET 功率MOSFET
应用
 * 负荷开关
 * 笔记本电脑

封装:SOT-23-6/TSOP-6

品牌：VISHAY

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±8

最大漏极电流Id(A):-6

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.038 @VGS = -4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):-1

功率PD(W):3.3

输入电容Ciss(PF):1300 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：20

导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.

上升时间Tr(ns):22 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):50 typ.

下降时间Tf(ns):20 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:Si3433CDV-T1-GE3,-20V,-6A,0.038Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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