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产品属性
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产品型号:FQP4N20L
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.35
最大漏极电流Id(on)(A):3.8
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:200V,3.8A 功率MOSFET
深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商,经销Infineon,FAIRCHILD,ST,IR, SANYO, TOSHIBA,FUJI等国际著名品牌,专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,主要应用于开关电源(如充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯、HID灯系列等)、电池保护、机顶盒、电脑主板、显卡、液晶、玩具遥控飞机、遥控船等。(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
FQP4N20L,TO-220,MOS,200V,3.8A
FAIRCHILD(飞兆)
TO-220
普通型
直插式
1000/盒
供应 场效应管 NDB6030PL,FDB6030PL,NDB6020P
供应 场效应管 FQP2N60,SSP2N60,SSP4N60
供应 场效应管 CEM9410,AP4410M,4410M,AP4410
供应 场效应管 TK75A06K3 K75A06K3
供应 场效应管 AP86T02GH ,86T02GH,AP86T02
供应 场效应管 TPC8213-H TPC8218-H
供应MOS CMP80N03 80N03 SPP80N03L
供应 场效应管 BSC883N03LSG,883N03LS,BSC883N03
供应 场效应管 TK150F04K3 K150F04K3
供应 场效应管 STK0460F,STK0460,STK0465F,STK0465