供应 场效应管 NDB6030PL,FDB6030PL,NDB6020P

地区:广东 深圳
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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:NDB6030PL

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

最大漏极电流Id(A):-30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.025

开启电压VGS(TH)(V):-2

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150

描述:-30V -30A  P-Channel MOSFET

 

产品型号:NDB6020P

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

最大漏极电流Id(A):-24

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.05

开启电压VGS(TH)(V):-1

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150

描述:-20V, -24A P-Channel MOSFET


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型号/规格

NDB6030PL

品牌/商标

FAIRCHILD(飞兆)

封装形式

SOT-263

环保类别

普通型

安装方式

贴片式

包装方式

800/盘