供应 场效应管 BSC052N03LSG,052N03LS,BSC052N03

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BSC052N03LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,57A,0.0052Ω

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 57 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 228 A
Power dissipation Ptot TC=25℃ 28 W
Gate source voltage VGS   ±20 V
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 2.2 V
Avalanche energy, single pulse EAS ID=35A, RGS=25 35 mJ
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=30A 5.2 m
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz 770 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A 75 S

 

 

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型号/规格

BSC052N03LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,57A.

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘