供应 场效应管 SSM6J401TU SSM6J402TU

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SSM6J401TU,SOT-323-6,SMD/MOS,P场,-30V,-2.5A,0.073Ω,带二极静电保护

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type

应用:

 * DC/DC Converter Application/DC/ DC转换器应用
 * High-Speed Switching Applications/高速开关应用

特点:
 * 4.0V驱动
 * 低导通电阻:Ron = RDS(ON) = 145mΩ (max) (@VGS = -4 V)
             : RDS(ON) = 73mΩ (max) (@VGS = -10 V)

产品型号:SSM6J401TU

封装:SOT-323-6

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-2.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.073 @VGS = -10 V

开启电压VGS(TH)(V):-2.6

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):730 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s):12

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):33 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):27 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6J401TU,-30V,-2.5A,0.073Ω P-沟道增强型场效应晶体管

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地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
专业经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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型号/规格

SSM6J401TU

品牌/商标

TOSHIBA(东芝)

封装形式

SOT-323-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

3000/盘