供应 场效应管 BSC320N20NS3G,320N20NS,BSC320N20

产品型号:BSC320N20NS3G

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):190

最大漏极电流Id(A):36

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.032 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):125

极间电容Ciss(PF):1770

通道极性:N通道

低频跨导gFS(s)：58

温度(℃): -55 ~150

描述:200V,36A N-channel OptiMOS Power-MOSFET

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