供应 场效应管 SSM3J130TU JJC

SSM3J130TU,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-4.4A,0.0258Ω，带二极(ESD)静电保护

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)

应用:

 * Power Management Switch Applications/电源管理开关应用
 * 高速开关应用

特点：
 * 1.5V驱动器
 * 低导通电阻：RDS(ON) = 63.2 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
             ：RDS(ON) = 41.1 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
             ：RDS(ON) = 31.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
             ：RDS(ON) = 25.8 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

产品型号:SSM3J130TU

封装:SOT-323

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±8

最大漏极电流Id(A):-4.4

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0258 @VGS = -4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.0

功率PD(W):0.8

输入电容Ciss(PF):1800 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：17.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):133 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J130TU,-20V,-4.4A,P-沟道增强型场效应晶体管

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