供应 场效应管 BSC018NE2LSI,018NE2LI

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BSC018NE2LSI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.0018Ω

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 25 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25 45 mJ
Gate source voltage VGS   ±20 V
Power dissipation Ptot TC=25℃ 69 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 2.2 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=30A 1.8 m
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=12V, f=1MHz 2500 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A 130 S


 

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型号/规格

BSC018NE2LSI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A.

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘