供应 场效应管 SSM3K36MFV SSM3K44MFV

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SSM3K36MFV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.63Ω,带二极静电保护

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

应用:
 * 高电流开关应用

特点:
 * 1.5V驱动器
 * 低导通电阻:Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
             :Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V)
             :Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
             :Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
             :Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V)

产品型号:SSM3K36MFV

封装:SOT-723

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±10

最大漏极电流Id(A):0.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = 4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):1

功率PD(W):0.15

输入电容Ciss(PF):46 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):1.6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3K36MFV,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管


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专业经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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型号/规格

SSM3K36MFV

品牌/商标

TOSHIBA(东芝)

封装形式

SOT-723

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

8000/盘