场效应管 BSZ0901NSI,0901NSI

BSZ0901NSI,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0021Ω

Parameter	Symbol	Conditions	Value	Unit
Drain-source breakdown voltage	V(BR)DSS	VGS=0V,ID=10mA	30	V
Continuous drain current	ID	VGS=10V,TC=25℃	40	A
Pulsed drain current	Idpulse	TC=25℃	160	A
Power dissipation	Ptot	TC=25℃	69	W
Gate source voltage	VGS		±20	V
Gate threshold voltage	VGS(th)	VDS=VGS,ID=250µA	2.2	V
Avalanche energy, single pulse	EAS	ID=20A, RGS=25Ω	80	mJ
Drain-source on-state resistance	RDS(on)	VGS=10V, ID=20A	2.1	mΩ
Input capacitance	Ciss	VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz	2600	PF
Transconductance	gfs	\|VDS\|>2\|ID\|RDS(on)max,ID=20A	100	S

型号/规格

BSZ0901NSI,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0021Ω

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

供应 场效应管 BSZ0901NSI,0901NSI