场效应管 FQPF4N20,FQPF32N20,FQPF4N20L

产品型号:FQPF4N20

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.4

最大漏极电流Id(on)(A):2.8

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150

描述:200V,2.8A 功率MOSFET

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型号/规格

FQPF4N20,TO-220F,MOS,200V,2.8A

品牌/商标

FAIRCHILD（飞兆）

封装形式

TO-220F

环保类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

1000/盒

功率特征

供应 场效应管 FQPF4N20,FQPF32N20,FQPF4N20L