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产品属性
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产品型号:BSC020N03LSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):180
最大漏极电流Id(A):100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.002 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):96
极间电容Ciss(PF):5400 TYP
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s):130
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,100A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
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BSC020N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,100A,0.002Ω
INFINEON(英飞凌)
QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘