供应 场效应管 SSM3J332R KFJ SSM3J334R KFL

地区:广东 深圳
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SSM3J334R,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-30V,-4A,0.071Ω,带二极静电保护

应用:
 * 电源管理开关应用

特点:
 
 * 低导通电阻RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V)
             RDS(ON) = 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
             RDS(ON) = 136 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)

产品型号:SSM3J334R

封装:SOT-23

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-4

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.071 @VGS = -10 V

开启电压VGS(TH)(V):-2

功率PD(W):1

输入电容Ciss(PF):280 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s):4.6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J334R,-30V,-4A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)

 

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型号/规格

SSM3J334R

品牌/商标

TOSHIBA(东芝)

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

3000/盘