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产品属性
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SSM3J334R,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-30V,-4A,0.071Ω,带二极静电保护
应用:
* 电源管理开关应用
特点:
* 低导通电阻RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V)
RDS(ON) = 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
RDS(ON) = 136 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)
产品型号:SSM3J334R
封装:SOT-23
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):-4
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.071 @VGS = -10 V
开启电压VGS(TH)(V):-2
功率PD(W):1
输入电容Ciss(PF):280 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s):4.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J334R,-30V,-4A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
SSM3J334R
TOSHIBA(东芝)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
3000/盘
供应 场效应管 TPCA8028-H TPCA8003-H
供应 场效应管,STP5NK80Z,P5NK80Z,STP4NB80
供应 场效应管 FQPF13N50CF,FQPF13N50,FQPF13N50C
供应 场效应管 IRFS730,IRFS740,IRFI730G,IRFI740G
供应 场效应管STK003SF K03P
供应 场效应管 BSC047N08NS3G,047N08NS,BSC047N08
供应 场效应管 CMD1653,CMD06N03,CMD04N03
供应 场效应管 AP6680M ,AP6680,6680M
供应 场效应管 BSC014NE2LSI,014NE2LI
供应 场效应管 BSZ088N03,088N03M,BSZ088N03MSG