供应 场效应管 BSC014NE2LSI,014NE2LI

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BSC014NE2LSI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.0014Ω

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 25 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25 50 mJ
Power dissipation Ptot TC=25℃ 74 W
Gate source voltage VGS   ±20 V
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 2 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=30A 1.4 m
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=12V, f=1MHz 2700 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A 140 S

 


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型号/规格

BSC014NE2LSI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.0014Ω

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘