场效应管 BSZ100N06LS3G,100N06L

BSZ100N06LS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,20A,0.01Ω

Parameter	Symbol	Conditions	Value	Unit
Drain-source breakdown voltage	V(BR)DSS	VGS=0V,ID=1mA	60	V
Continuous drain current	ID	VGS=10V,TC=25℃	20	A
Pulsed drain current	IDM	TC=25℃	80	A
Gate source voltage	VGS		±20	V
Avalanche energy, single pulse	EAS	ID=20A, RGS=25Ω	55	mJ
Power dissipation	Ptot	TC=25℃	50	W
Gate threshold voltage	VGS(th)	VDS=VGS,ID=23µA	2.2	V
Drain-source on-state resistance	RDS(on)	VGS=10V, ID=20A	10	mΩ
Transconductance	gfs	\|VDS\|>2\|ID\|RDS(on)max,ID=20A	41	S
Input capacitance	Ciss	VGS=0V,VDS=30V, f=1MHz	2600	PF

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型号/规格

BSZ100N06LS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,20A,0.01Ω

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘

供应 场效应管 BSZ100N06LS3G,100N06L