供应 场效应管 BSZ100N06LS3G,100N06L

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BSZ100N06LS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,20A,0.01Ω

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 60 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 20 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 80 A
Gate source voltage VGS   ±20 V
Avalanche energy, single pulse EAS ID=20A, RGS=25 55 mJ
Power dissipation Ptot TC=25℃ 50 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=23µA 2.2 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=20A 10 m
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=20A 41 S
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=30V, f=1MHz 2600 PF

 

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型号/规格

BSZ100N06LS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,20A,0.01Ω

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘