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产品属性
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SSM4K27CT,TOSHIBA,CST4,SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.205Ω,带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅢ)
应用:
* 高电流开关应用
* 电源管理开关应用
特点:
* 低导通电阻:Ron = 205 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)
:Ron = 260 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
:Ron = 390 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
产品型号:SSM4K27CT
封装:CST4
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±12
最大漏极电流Id(A):0.5
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.205 @VGS = 4 V
开启电压VGS(TH)(V):1.1
功率PD(W):0.4
输入电容Ciss(PF):174 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):1.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):16.4 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM4K27CT,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
SSM4K27CT
TOSHIBA(东芝)
CST4
无铅环保型
贴片式
10000/盘
供应 场效应管 AON6702,AON6702L,6702
供应 场效应管 AO4916L,AO4914L,AO4912L
供应 场效应管 FQPF12P20,FQPF7P20,12P20,7P20
供应 场效应管 IPG20N06S2L-35,2N06L35
供应 场效应管 STP9NC60,P9NC60
供应 场效应管 SSM6L39TU SSM6L12TU SSM6L11TU
供应 600V COOLMOS SPA20N60CFD
供应 场效应管 SSM6N24TU SSM6N25TU
供应 60V MOSFET CMD20N06L 20N06
供应 场效应管 CEP20P06 , 20P06