供应 场效应管 SSM6N24TU SSM6N25TU

SSM6N24TU,SOT-323-6,SMD/MOS,双N,30V,0.5A,0.145Ω，带二极静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

应用:
 * High Speed Switching Applications/高速开关应用

特点：
 * 紧凑型封装，适用于高密度安装
 * 低导通电阻：Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
             : Ron = 180mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)

产品型号:SSM6N24TU

封装:SOT-323-6

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±12

最大漏极电流Id(A):0.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.145 @VGS = 4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):1.1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):245 typ.

通道极性:双N沟道

低频跨导gFS(s)：2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6N24TU,双N,30V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管

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