供应 场效应管 SSM3K131TU KKJ

SSM3K131TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,30V,6A,0.0276Ω，带二极(ESD)静电保护

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅣ)

应用:

 * high Speed Switching Applications/高速开关应用

特点：
 * 4.5 V驱动器
 * 低导通电阻: Ron = 41.5 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
             : Ron = 27.6 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

产品型号:SSM3K131TU

封装:SOT-323

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGSS(V):±20

最大漏极电流Id(A):6

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0276 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):0.8

输入电容Ciss(PF):450 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：23

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3K131TU,30V,6A,0.0276Ω,N-沟道增强型场效应晶体管

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