场效应管 AO3416,AGSA,AP2306N

产品型号:AO3416

源漏极间雪崩电压VDSS(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.022

最大漏极电流Id(on)(A):6.5

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-23/-55 ~150

描述:20V 6.5A功率MOSFET

如需了解更多的产品信息:
1、直接与我司工作人员联系!
2、登陆我站:https://www.chinajincheng.com
3、：4006262666
4、Q
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

产品型号:AO4918

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0145

最大漏极电流Id(on)(A):9.3A

通道极性:双N沟道

封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150

描述:30V 9.3A功率MOSFET

型号/规格

AO3416

品牌/商标

AO

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

3000/盘

功率特征

供应 场效应管 AO3416,AGSA,AP2306N