场效应管 STP85NF55

STP80NF55,ST,TO-220,N场,55V,80A,0.008Ω

STP85NF55,ST,TO-220,N场,55V,80A,0.008Ω

Parameter	Symbol	Conditions	Value	Unit
Drain-source breakdown voltage	V(BR)DSS	VGS=0V,ID=250µA	55	V
Continuous drain current	ID	TC=25℃	80	A
Pulsed drain current	IDM	TC=25℃	320	A
Power dissipation	Ptot	TC=25℃	300	W
Gate source voltage	VGS		±20	V
Gate threshold voltage	VGS(th)	VDS=VGS,ID=250µA	4	V
Avalanche energy, single pulse	EAS	ID=25A, RGS=25?	980	mJ
Drain-source on-state resistance	RDS(on)	VGS=10V, ID=40A	8	m?
Input capacitance	Ciss	VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz	3700	PF
Transconductance	gfs	VDS=15V, ID =40A	120	S

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型号/规格

STP85NF55

品牌/商标

ST（意法半导体）

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

1K/盒

功率特征

供应场效应管 STP85NF55