供应 场效应管 TPCC8076 TPCC8062-H

产品型号:TPCC8076,QFN-8 3.3*3.3,SMD/MOS,N场,33V,27A,0.0046Ω

应用:
 * Lithium Ion Battery Applications/锂离子电池应用
 * Notebook PC Applications/笔记本电脑应用
 * Mobile Handsets/移动手机
特点:
 * 超薄小体积封装
 * 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 3.7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
 * 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 33 V)
 * 增强模式: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)
 * 带二极ESD保护

封装:QFN-8 3.3*3.3

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):33

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):27

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0046 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.3

功率PD(W):39

输入电容Ciss(PF):2500 typ.

通道极性:N沟道

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):82

导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.

上升时间Tr(ns):2.9 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):48 typ.

下降时间Tf(ns):9.5 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TPCC8076,33V,27A,0.0046Ω N-沟道增强型场效应晶体管

深圳市金城微零件有限公司                                  
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
专业经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)