供应 场效应管 2SK1982-01MR,2SK1982,K1982

产品型号:2SK1982-01MR

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):10

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.76 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3.5

功率PD(W):50

输入电容Ciss(PF):1500 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：10

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.

上升时间Tr(ns):40 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ.

下降时间Tf(ns):60 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,10A N-沟道增强型场效应晶体管

特点
。高速开关
。低导通电阻
。无二次击穿
。低驱动功率
。高电压

应用
。开关稳压器
。UPS
。 DC-DC变换器
。通用功率放大器