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产品属性
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产品型号:BSC032N03SG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):550
最大漏极电流Id(A):100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0032 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):78
极间电容Ciss(PF):3820 typ.
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s):113
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,100A, OptiMOS Power-Transistor
BSC032N03SG
INFINEON(英飞凌)
QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘
供应 场效应管 2SK3869,K3869,2SK3757,K3757
供应 场效应管 BSC010NE2LSG,010NE2LS,BSC010NE2
供应 FQP3P50 SFP9634 P沟道 场效应管
供应 场效应管 TK7A50D,K7A50D,TK7A50
供应 场效应管 FQPF7N50,FDPF7N50,MDF7N50,7N50
供应 场效应管 IRFI520N,IRFI520G,IRFI520A
供应 场效应管 BSC014NE2LSI,014NE2LI
供应 场效应管 AOD456 , AOD452 ,D456,D452
供应 场效应管 , IRFZ44ZPBF , IRFZ44Z , IRFZ44
供应 场效应管 IRF640NPBF,IRF640N,LVP640