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产品属性
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产品型号:AO4410
封装:SOP-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±12
最大漏极电流Id(A):18
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):3
输入电容Ciss(PF):9130 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):4.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273
导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.
上升时间Tr(ns):7 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):99 typ.
下降时间Tf(ns):13 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,18A N-沟道增强型场效应晶体管
AO4410,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,7.5A,
AO
SOP-8
无铅环保型
贴片式
2500/盘
供应 场效应管 TK8A65D,TK8A65,K8A65D
供应 场效应管 FQP1N60,FQP2N60C,FQP3N60C,FQP4N60
供应 场效应管 TPCA8059-H
供应 600V场效应管 CMD1N60,KIA1N60HD,1N60
供应 场效应管 AP3310GH,AP3310H,3310GH
供应 场效应管 AOT470 T470 AOT460 T460
供应 场效应管 BSC0904NSI,0904NSI
供应 场效应管 RJK0346DPA,RJK0364DPA,HAT2200WP
供应 场效应管 TK4A60DB,K4A60D,TK4A60DAR
供应 场效应管 L1084DG-3.3,L1084G-3.3,L1084DG