供应 场效应管 BSC0904NSI,0904NSI

地区:广东 深圳
认证:

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    号:BSC0904NSI
    记: 0904NSI
    型:场效应管
通道极性: N通道
    装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
    注:正品
Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 30 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 78 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 312 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=30A, RGS=25 14 mJ
Gate source voltage VGS   ±20 V
Power dissipation Ptot TC=25℃ 37 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 2.2 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=30A 3.7 m
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz 1100 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A 86 S

 

型号/规格

BSC0904NSI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,78A,

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘

功率特征