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产品属性
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产品型号:SI2311
封装:SOT-23
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-8
夹断电压VGS(V):±8
最大漏极电流Id(A):-3A
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.045 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-0.8
功率PD(W):0.71
输入电容Ciss(PF):970 typ.
通道极性:p沟道
导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.
上升时间Tr(ns):45 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.
下降时间Tf(ns):45 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:-8V,-3A P-沟道增强型场效应晶体管
SI2311,SOT-23,-8V,-6A
国产
SOT-23
无铅环保型
贴片式
3000/盘
供应 60V MOSFET CMD20N06L 20N06
供应 场效应管 FQPF11N50CF,FQPF11N50,FQPF11N50C
供应 场效应管 CMU5N50
供应 场效应管 SSP3N90A,SSP3N90,FQP4N90C
供应 场效应管 SSM6K204FE SSM6K203FE
供应 场效应管NTD80N02 S80N02
供应 场效应管 KIA1404A,KIA1404,KIA3805ZP
供应 场效应管 BSC889N03MSG,889N03MS,BSC889N03
供应 场效应管 2SK3561,K3561,2SK3568,K3568
供应 场效应管 BSC079N10NSG,079N10NS,BSC079N10