产品详情

供应 场效应管 CMU5N50

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市金城微零件有限公司

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产品型号:CMU5N50

封装:TO-251

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):4.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):50

输入电容Ciss(PF):800 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：4.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):500

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,4.5A N-沟道增强型场效应晶体管

型号/规格

CMU5N50

品牌/商标

Cmos

封装形式

TO-251

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装