供应 场效应管 SSM6K204FE SSM6K203FE

SSM6K211FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,3.2A,0.047Ω，带二极静电保护
SSM6K204FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,2A,0.126Ω，带二极静电保护

产品型号:SSM6K204FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

SSM6K204FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,2A,0.126Ω，带二极静电保护

封装:SOT-563

品牌：TOSHIBA/东芝

应用:
 * 高速开关应用
 * 电源管理开关应用

特点：
 * 1.5-V驱动器
 * 低导通电阻：Ron = 307 mΩ (max) (@VGS = 1.5V)
             ：Ron = 214 mΩ (max) (@VGS = 1.8V)
             ：Ron = 164 mΩ (max) (@VGS = 2.5V)
             ：Ron = 126 mΩ (max) (@VGS = 4.0V)

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±10

最大漏极电流Id(A):2

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.126 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):195 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：5.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):9 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6K204FE,20V,2A,0.126Ω N-沟道增强型场效应晶体管

(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)