供应 场效应管 BSC884N03MSG,884N03MS,BSC884N03

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BSC884N03MS G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,34V,85A,0.0045Ω

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 30 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 85 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 340 A
Power dissipation Ptot TC=25℃ 50 W
Gate source voltage VGS   ±20 V
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 2 V
Avalanche energy, single pulse EAS ID=20A, RGS=25Ω 35 mJ
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=30A 4.5 mΩ
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz 2700 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A 79 S

型号/规格

BSC884N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,34V,85A,0.0045Ω

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘