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供应 场效应管 NTD110N02RT4G,NTD110N02,T110N2G

地区：广东 深圳
认证： 无

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产品型号:NTD110N02RT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600
最大漏极电流Id(on)(A):110
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:24 V, 110 A功率MOSFET

型号/规格

NTD110N02RT4G,ON,MOS,24V,110

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

SOT-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征