供应 场效应管 SSM6N36FE SSM6N16FE

新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323，SOT-23，SOT-416
SOT-563，SOT-723，SOT-883，CST4，UDFN6B，UDFN6
等小体积MOS,带二极静电保护，用于锂电保护,航模电调，无刷电机，移动电源，手机等应用，全新原装正品，现货供应，欢迎咨询。

SSM6N36FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,20V,0.5A,0.63Ω
SSM6N16FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,20V,0.1A,3Ω

产品型号:SSM6N36FE

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type

应用:

 * 高速开关应用

特点：
 * 1.5-V驱动器
 * 低导通电阻：Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
             : Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V)
             : Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
             : Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
             : Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V)

封装:SOT-563

品牌：TOSHIBA/东芝

通道极性:双N沟道

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20V

夹断电压VGS(V):±10

最大漏极电流Id(A):0.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = -4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):1

功率PD(W):0.15

输入电容Ciss(PF):46 typ.

低频跨导gFS(ms)：840

导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6N36FE,20V/20V,0.5A/0.5A,0.63Ω 双N-沟道增强型场效应晶体管

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