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产品属性
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产品型号:TK15A50D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):15
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.3
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):2300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):542
导通延迟时间Td(on)(ns):100 typ.
上升时间Tr(ns):50 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):140 typ.
下降时间Tf(ns):25 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,15A N-沟道增强型场效应晶体管
TK15A50D,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,15A,0.3Ω
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
2500/盒
供应 场效应管 IPG20N06S4L-14,4N06L14
供应 场效应管 STK0765BF,STK0760F,STK0760
供应 场效应管 BSC014N03MSG,014N03MS,BSC014N03
供应 场效应管 FQP13N50C,FQP13N50,FQP9N50C
供应 场效应管 P0603BDG,P0803BDG
供应 场效应管NTD40N03RT4G T40N03G
供应 场效应管,STP5NK80Z,P5NK80Z,STP4NB80
供应 场效应管 STK0460F,STK0460,STK0465F,STK0465
供应 场效应管NTD80N02T4G 80N02G
供应 场效应管 AO7401L, AOT7401 , SPP7401