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产品属性
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产品型号:BSC014N03MSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):50
最大漏极电流Id(A):100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0014 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):139
极间电容Ciss(PF):10000
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s):140
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,100A N-channel Power-MOSFET
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BSC014N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,100A,0.0014Ω
INFINEON(英飞凌)
QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘
供应 场效应管STK003SF K03P
供应 场效应管 TK20A60,TK20A60U,K20A60U
供应 场效应管 AP85T03GH ,AP85T03H,85T03GH
供应 场效应管 IRF740B,IRF740,IRF740A,IRF740LC
供应TOSHIBA场效应管 TK80E08K3 K80E08K3
供应 场效应管 CMD5N50,UTC830,TSD5N50,5N50
供应 场效应管 TK3A65D,TK3A65DA,K3A65D,K3A65DA
供应场效应管 AO3400,AO3400A,XOTN,AO1T,A29T
供应 场效应管 AM50N03-12D,AM50N03,50N03-12
供应 ON场效应管 NTD4302 NTD4302T4G