供应 场效应管 CS1N60A3H,CS2N60A3H,CS1N60

地区:广东 深圳
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产品型号:CS1N60A3H
概述:
硅CS1N60A3H,N-沟道的增强VDMOSFETs,是通过以下方式获得的自对准的平面技术

,能够降低导通损耗,提高开关性能和增强的雪崩能量。的晶体管可以使用在各种

电源的开关电路,用于系统的小型化和更高的效率。封装形式为TO-251,
符合RoHS标准。

产品特点:
 * 开关速度快
 * 低导通电阻(导通电阻≤15Ω)
 * 低栅极电荷(典型数据:5.0nC)
 * 低反向传输电容(典型:2.7pF)
 * 100%的单脉冲雪崩能量测试

应用范围:
 * 电源开关电路的电源适配器和充电器。
 * 符合RoHS标准

封装:TO-251

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):0.8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):30

输入电容Ciss(PF):92 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):0.7

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60

导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.

上升时间Tr(ns):26 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.

下降时间Tf(ns):27 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,0.8A N-沟道增强型场效应晶体管


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型号/规格

CS1N60A3H,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,0.8A,15Ω

品牌/商标

华晶

封装形式

SOT-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

2500/盘