供应 场效应管 SSM6N55NU

SSM6N55NU,UDFN6,SMD/MOS,双N,30V,4A,0.045Ω，带二极静电保护

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

应用:
 * Power Management Switches/电源管理开关
 * DC-DC Converters/DC-DC转换器

特点：
 * 4.5V的栅极驱动电压。
 * 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 46 mΩ (max) (@VGS = 10 V)
                 : RDS(ON) = 64 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

产品型号:SSM6N55NU

封装:UDFN6

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):4

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.046 @VGS =10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):280 typ.

通道极性:双N沟道

低频跨导gFS(s)：6.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):12 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6N55NU,30V,4A 双N-沟道增强型场效应晶体管

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