场效应管 BSC150N03LDG,150N03LD,BSC150N03

产品型号:BSC150N03LDG

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):10

最大漏极电流Id(A):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.015 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.2

功率PD(W):26

极间电容Ciss(PF):850 typ.

通道极性:双N

低频跨导gFS(s)：35

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,20A, Dual N-channel, logic level OptiMOS Power-Transistor

型号/规格

BSC150N03LDG,PG-TSDSON-8,双N,30V,20A,15mΩ.

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘

供应 场效应管 BSC150N03LDG,150N03LD,BSC150N03