场效应管 AON5802 , AON5800 ,5802, 5800

产品型号:AON5800

源漏极间雪崩电压VDSS(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.016

最大漏极电流Id(on)(A):8

通道极性:双N
封装/温度(℃):DFN 5*2/-55 ~150

描述:25V 50A功率MOSFET

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产品型号:AOD448

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.005

最大漏极电流Id(on)(A):75A

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150

描述:30V 75A功率MOSFET

型号/规格

AON5800,DFN 2*5,双N,MOS,20V,8A

品牌/商标

AO

封装形式

DFN 2*5

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

3000/盘

功率特征

供应 场效应管 AON5802 , AON5800 ,5802, 5800