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供应 场效应管 BSC024NE2LS,024NE2LS

地区：广东 深圳
认证： 无

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型    号：BSC024NE2LS
标    记:024NE2LS
类    型：场效应管
通道极性:N通道
封    装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
备    注：正品
Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 25 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 40 mJ
Gate source voltage VGS 　 ±20 V
Power dissipation Ptot TC=25℃ 48 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=30µA 2 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=30A 2.4 mΩ
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz 1700 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A 110 S

型号/规格

BSC024NE2LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.0024Ω

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘