供应 场效应管 SI2308DS,SI2310,Si2308

产品型号:SI2308DS

封装:SOT-23

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):2

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.16 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):1.25

输入电容Ciss(PF):240 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：4.6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ.

上升时间Tr(ns):10 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ.

下降时间Tf(ns):6 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:60V,2A N-沟道增强型场效应晶体管