供应 场效应管 BSZ520N15NS3G,520N15N

产品型号:BSZ520N15NS3G

封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):150

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):60

最大漏极电流Id(A):21

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.052 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):57

极间电容Ciss(PF):670

通道极性:N通道

低频跨导gFS(s)：21

温度(℃): -55 ~150

描述:150V,21A,OptiMOS Power-Transistor

(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)