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产品属性
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产品型号:AP83T03GH-HF
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):75
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):60
输入电容Ciss(PF):1150 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):55
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):9.5 typ.
上升时间Tr(ns):86 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.
下降时间Tf(ns):14 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
AP83T03GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,75A,0.006Ω
AP/富鼎
SOT-252
无铅环保型
贴片式
2500/盘
供应 场效应管 IRL610A,IRF610A,IRF610B
供应 场效应管 SI7738DP ,SI7738DP-T1-E3
供应 场效应管 AP40P03GP ,AP40P03,40P03GP,CMP40P03
供应 场效应管 BSZ067N06LS3G,067N06L
供应 场效应管NTD60N02RT4G T60N02RG
供应 场效应管 STK7508P,STK7508,STK5007,STK5007
供应 双N场效应管 TPC8212-H TPC8211 MOS
供应 场效应管 CMD1653,CMD06N03,CMD04N03
供应 场效应管 BSC014NE2LSI,014NE2LI
供应 场效应管 TK6A60D,K6A60D