供应 场效应管 FDB6670AL,FDB6670,FDB8860

MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FDB6670AL

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

最大漏极电流Id(A):80

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0065

开启电压VGS(TH)(V):3

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-263  /-55 ~150

描述:30V,80A N-Channel 功率MOSFET

产品型号:FDB8860

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

最大漏极电流Id(A):80

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0023

开启电压VGS(TH)(V):3

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-263  /-55 ~150

描述:30V,80A N-Channel 功率MOSFET

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