供应 场效应管 CMB7N60,KIA7N60HB,7N60

产品型号:CMB7N60

封装:SOT-263

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):7

产品型号:KIA7N60HB

封装:SOT-263

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):7.4

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.1 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):142

输入电容Ciss(PF):1130 typ.

通道极性:N沟道

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):580

导通延迟时间Td(on)(ns):70 typ.

上升时间Tr(ns):170 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):140 typ.

下降时间Tf(ns):130 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,7A N-沟道增强型场效应晶体管