供应 场效应管 TK80A08K3 K80A08K3

MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.

TK80A08K3,TO-220F,DIP/MOS,N场,75V,80A,0.0045Ω
TK80E06K3,TO-220,DIP/MOS,N场,60V ,80A,0.0085Ω
TK30A06J3A,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,30A,0.026Ω

产品型号:TK80A08K3

封装:TO-220F

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):80

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0045 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):25

输入电容Ciss(PF):8200 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：200

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):443

导通延迟时间Td(on)(ns):55 typ.

上升时间Tr(ns):30 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ.

下降时间Tf(ns):150 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TK80A08K3 75V,80A N-沟道增强型场效应晶体管

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